Moore

Loi de Moore

L'évolution du nombre de transistors intégrés sur un circuit peut servir d'exemple pour illustrer les développements en matériau dans le domaine de l'électrotechnique. Ce nombre évolue selon une loi de Moore (loi exponentielle, le nombre de transistors double tous les 18 mois).

Le but du développement est d'augmenter le nombre de transistors par unité de volume, autrement dit d'augmenter la densité de transistors, est bien entendu d'augmenter la puissance de calcul d'un composant. Exprimée en millions d'instructions par seconde (MIPS), la puissance de traitement a augmenté grâce à la progression du nombre des transistors. Dans cet exemple les facteurs qui s'opposent à la progression sont la dissipation thermique due à la résistivité et la largeur des pistes. En effet vers 2018 les limites technologiques devraient être atteintes, car les pistes du circuit devenant trop étroites, des phénomènes quantiques devraient apparaître. En particulier les électrons auraient la possibilité de passer d'une piste à l'autre. En 2010, pour outrepasser cette limitation, les scientifiques effectuent des développements en utilisant une architecture de microfils 3D [Fleury JB et al., "Self-Connected 3D Architecture of Microwires", Phys. Rev. Lett. 103, 267801 (2009)].

Les " portes " des transistors des puces gravées en technologie 65 nm autrement dit les commutateurs qui les activent et les désactivent sont d'une longueur de 35 nm, soit 30 % de moins que celles correspondant à la gravure en 90 nm, prédécesseur direct de la gravure en 65 nm. A titre de comparaison un cheveu à un diamètre de 75 microns.

Tableau: Loi de Moore transistors dans circuit intégré [Source. http://www.intel.com]

Source: Garmanage: Roland Gallay